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IR推出100V集成MOSFET解決方案

更新時間: 2019-01-07
閱讀量:2238

    世界功率管理技術領袖國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR)近日推出IRF4000型100V器件。該器件將4個HEXFET MOSFET集成在一個功率MLP封裝內,可滿足以太網供電(Power-over-Ethernet,簡稱PoE)應用的需求。這款新器件符合針對網絡和通信基礎設施系統的IEEE802.3af標準,例如以太網交換器、路由器和集線器等,可提供每端口15W的功率,并能取代4個獨立SOT-223封裝的MOSFET。其減少的占位面積相當于節省了80%的空間,或相當于典型48端口電路板中3平方英寸的占板面積。

    IR中國及香港銷售總監嚴國富指出:“PoE卡的每個端口都需要有各自的MOSFET,IRF4000正好可以滿足這種需要。與使用單獨MOSFET的解決方案相比,它能大幅度減少零件數目,同時簡化制造工藝,可在48端口系統中節省36個插入元件。”

    IEEE 802.3af提出了在網絡系統中由電源設備通過局域網向用電裝置供電的標準。IR的這款新型MOSFET的工作類似一個熱交換場效應管,在受控環境下,可將電力由電源設備輸送到用電裝置。由于它必須在線性區域工作,工作環境也非常嚴峻,因此必須設置一個高度穩定的安全工作區域(SOA)。

    IRF4000采用低跨導硅技術,封裝熱阻約1°C/W,在線性區域工作時可高效地散發熱量。該器件經過全面的電學和熱特性優化,以適應最苛刻的IEEE 802.3af工作條件,與獨立的SOT-223 MOSFET 相比,該器件安全工作區域增加56%,有效改善了系統的可靠性和耐熱性。

    IRF4000除了適用于48端口系統,還適用于96端口產品或更小型的12端口PoE 插頭模組。在各種情況下,每個IRF4000器件都可以取代4個端口。新器件已經通過MSL三級認證。

    IRF4000除了符合IEEE 802.3af規范,還能夠滿足即將問世的針對高功率負載的PoE Plus構架的要求。

    IRF4000現已開始供貨,基本規格如下:

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